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文献
J-GLOBAL ID：201702286574430199
整理番号：17A0481344
Si(100)と4°を成す基板上のMBE成長により合成したGaP(N)層の構造と光学的性質の研究
Study of the Structural and Optical Properties of GaP(N) Layers Synthesized by Molecular-Beam Epitaxy on Si(100) 4° Substrates
KRYZHANOVSKAYA N. V.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
KRYZHANOVSKAYA N. V.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
,
KRYZHANOVSKAYA N. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
POLUBAVKINA Yu. S.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
NEVEDOMSKIY V. N.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
NIKITINA E. V.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
LAZARENKO A. A.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
EGOROV A. Yu.
(St. Petersburg National Res. Univ. Information Technol., Mechanics, and Optics, St. Petersburg, RUS)
,
MAXIMOV M. V.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
MAXIMOV M. V.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
,
MAXIMOV M. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MOISEEV E. I.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
ZHUKOV A. E.
(St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
ZHUKOV A. E.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 2 ページ： 267-271 発行年： 2017年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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