文献
J-GLOBAL ID:201702286603527672
整理番号:17A0414530
Raman散乱およびテラヘルツ時間領域分光法測定で観測された非ドープGaAs/n-型GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン-プラズモン結合モード:観測されたモードと初期偏光効果の違い【Powered by NICT】
Longitudinal Optical Phonon-Plasmon Coupled Mode in Undoped GaAs/n-Type GaAs Epitaxial Structures Observed by Raman Scattering and Terahertz Time-Domain Spectroscopic Measurements: Difference in Observed Modes and Initial Polarization Effects
著者 (3件):
Takeuchi Hideo
(Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan)
,
Sumioka Takahiro
(Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan)
,
Nakayama Masaaki
(Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
(IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻:
7
号:
2
ページ:
124-130
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2304A
ISSN:
2156-342X
CODEN:
ITTSBX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)