文献
J-GLOBAL ID:201702286791898382
整理番号:17A0027195
異なる接続方法によるa-Si:H/c-Si p-i-n構造における電圧変調位置感度と非線形性
Voltage-Modulated Position Sensitivity and Nonlinearity in a-Si:H/”c-Si p-i-n Structure by Different Connection Methods
著者 (5件):
Liu Jihong
(College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
,
Liu Yanan
(College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
,
Qiao Shuang
(College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
,
Wang Shufang
(College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
,
Fu Guangsheng
(College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
9
ページ:
1162-1165
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)