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文献
J-GLOBAL ID：201702286859014920
整理番号：17A0443366
MOSFET直列抵抗と移動度劣化モデルパラメータのためのDC抽出法のレビュー【Powered by NICT】
A review of DC extraction methods for MOSFET series resistance and mobility degradation model parameters
Ortiz-Conde Adelmo
(Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela)
,
Sucre-Gonzalez Andrea
(Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela)
,
Zarate-Rincon Fabian
(Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico)
,
Torres-Torres Reydezel
(Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico)
,
Murphy-Arteaga Roberto S.
(Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico)
,
Liou Juin J.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL 32816, USA)
,
Garcia-Sanchez Francisco J.
(Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 69 ページ： 1-16 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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