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文献
J-GLOBAL ID:201702286882171609   整理番号:17A1810907

SiCの表面分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長に対するイオンビーム照射の効果

Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method
著者 (6件):
ISHII Junko
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
ISHII Junko
(Kitakyushu Coll., Kitakyushu, JPN)
MIYAWAKI Yasuhiro
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
YAMASAKI Takayuki
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
IKARI Tomonori
(Ube Coll., Yamaguchi, JPN)
NAITOH Masamichi
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 56  号:ページ: 085104.1-085104.4  発行年: 2017年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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