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文献
J-GLOBAL ID：201702286886891397
整理番号：17A0968141
薄いpn接合を有する新しい垂直エピタキシャルヘテロ構造アーキテクチャ(VEHSA)に基づく高効率光トランスデューサ
High efficiency phototransducers based on a novel vertical epitaxial heterostructure architecture (VEHSA) with thin p/n junctions
YORK Mark C A
(Univ. de Sherbrooke, QC, CAN)
,
FAFARD Simon
(Univ. de Sherbrooke, QC, CAN)
,
FAFARD Simon
(Azastra Opto Inc., Ontario, CAN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50 号： 17 ページ： 173003,1-22 発行年： 2017年05月04日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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