文献
J-GLOBAL ID:201702286989643915
整理番号:17A1634864
C-Vヒステリシスにより評価した金属Gate/High k/III V MOSデバイスへの電荷捕獲効果【Powered by NICT】
Charge trapping effects on Metal-Gate/High-k/III-V MOS devices assessed through C-V hysteresis
著者 (3件):
Pazos Sebastian M.
(Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...)
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Aguirre Fernando L.
(Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...)
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Palumbo Felix
(Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
CAMTA
ページ:
21-25
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)