文献
J-GLOBAL ID:201702287030108904
整理番号:17A0717974
原子プローブトモグラフィーによる多結晶ケイ素中のヒ素の粒界に沿っての拡散に及ぼすリンまたはホウ素のプレドーピングの効果
Predoping effects of boron and phosphorous on arsenic diffusion along grain boundaries in polycrystalline silicon investigated by atom probe tomography
著者 (10件):
TAKAMIZAWA Hisashi
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
,
TAKAMIZAWA Hisashi
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Yasuo
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
,
INOUE Koji
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
,
NOZAWA Yasuko
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
,
TOYAMA Takeshi
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
,
YANO Fumiko
(Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
,
INOUE Masao
(Renesas Electronics Corp., Ibaraki, JPN)
,
NISHIDA Akio
(Renesas Electronics Corp., Ibaraki, JPN)
,
NAGAI Yasuyoshi
(Tohoku Univ., Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
9
号:
10
ページ:
106601.1-106601.4
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)