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文献
J-GLOBAL ID：201702287060444682
整理番号：17A0830934
シリコンヘテロ接合太陽電池用の真性半導体アモルファスシリコン酸化物バッファ層の最適条件上のエピタキシャル成長の影響【Powered by NICT】
Effects of epitaxial growth on the optimum condition of intrinsic amorphous silicon oxide buffer layers for silicon heterojunction solar cells
Zhang He
(MEXT/FUTURE-PV Innovation Research, Japan Science and Technology Agency (JST), 2-2-9 Machiike-dai, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan)
,
Nakada Kazuyoshi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-15 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
,
Konagai Makoto
(MEXT/FUTURE-PV Innovation Research, Japan Science and Technology Agency (JST), 2-2-9 Machiike-dai, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan)
,
Konagai Makoto
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1, Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo 158-0082, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 628 ページ： 214-220 発行年： 2017年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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