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文献
J-GLOBAL ID：201702287112396537
整理番号：17A0402538
CMPプロセス中のGLSIシリコン基板の除去速度と表面品質【Powered by NICT】
Removal rate and surface quality of the GLSI silicon substrate during the CMP process
Hong Jiao
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Hong Jiao
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Niu Xinhuan
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Niu Xinhuan
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Liu Yuling
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Liu Yuling
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Wang Chenwei
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Wang Chenwei
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Zhang Baoguo
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Zhang Baoguo
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Sun Ming
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Sun Ming
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Wang Juan
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Wang Juan
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Han Liying
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Han Liying
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
,
Zhang Wenqian
(School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130)
,
Zhang Wenqian
(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 168 ページ： 76-81 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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