前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201702287183351255   整理番号:17A0462052

イットリウム安定化エピタキシャルHfO2薄膜の電気的特性に及ぼす厚さ依存性結晶モザイク性と化学的欠陥の影響

Effect of thickness-dependent crystal mosaicity and chemical defect on electric properties in yttrium-stabilized epitaxial HfO2 thin films
著者 (6件):
Liu Wenlong
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Liu Ming
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Cheng Sheng
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Zhang Ruyi
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Ma Rong
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Hong
(School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 110  号: 12  ページ: 122904-122904-5  発行年: 2017年03月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。