文献
J-GLOBAL ID:201702287314038416
整理番号:17A0151788
TiO2/GaN/AlGaN/GaN/Si金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタに対する蒸着後アニーリングの影響
Effects of postdeposition annealing on TiO2/GaN/AlGaN/GaN/Si metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors
著者 (2件):
Lin Yu-Shyan
(Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, 1, Sec. 2, Da Hsueh Rd., Shou-Feng, Hualien 974, Taiwan)
,
Lu Chi-Che
(Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, 1, Sec. 2, Da Hsueh Rd., Shou-Feng, Hualien 974, Taiwan)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
35
号:
1
ページ:
011209-011209-3
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)