文献
J-GLOBAL ID:201702287319792815
整理番号:17A0763293
トリエタノールアミンによりドーピングされたMoS2多層電場効果トランジスタ
Triethanolamine doped multilayer MoS2 field effect transistors
著者 (8件):
Ryu Min-Yeul
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 02481, South Korea. gtkim@korea.ac.kr)
,
Jang Ho-Kyun
,
Lee Kook Jin
,
Piao Mingxing
,
Ko Seung-Pil
,
Shin Minju
,
Huh Junghwan
,
Kim Gyu-Tae
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
19
号:
20
ページ:
13133-13139
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)