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文献
J-GLOBAL ID：201702287514811068
整理番号：17A0362551
SiGeH BT中のパルスレーザ誘起シングルイベント過渡現象のバイアス依存性の実験的研究【Powered by NICT】
Experimental study of bias dependence of pulsed laser-induced single-event transient in SiGe HBT
Sun Yabin
(Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241)
,
Fu Jun
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Wang Yudong
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Zhou Wei
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Liu Zhihong
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Li Xiaojin
(Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241)
,
Shi Yanling
(Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 65 ページ： 41-46 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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