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文献
J-GLOBAL ID：201702287530517276
整理番号：17A0953261
4H-SiC基板上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのGaNバッファ層におけるMg補償効果
Mg-compensation effect in GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors grown on 4H-SiC substrate
KO Kwangse
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
LEE Kyeongjae
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
SO Byeongchan
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
HEO Cheon
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
LEE Kyungbae
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
KWAK Taemyung
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
,
HAN Sang-Woo
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
,
CHA Ho-Young
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
,
NAM Okhyun
(Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 1 ページ： 015502.1-015502.5 発行年： 2017年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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