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J-GLOBAL ID：201702287702589560 整理番号：17A0665264

p型SnSおよびナノメータ厚Al_2S_3層を用いた金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)【Powered by NICT】

Metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) using p-type SnS and nanometer-thick Al₂S₃ layers

著者 (7件)：

Mudusu Devika

(Department of Aerospace Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)

Nandanapalli Koteeswara Reddy

Dugasani Sreekantha Reddy

Karuppannan Ramesh

Kothakota Ramakrishna Reddy Gunasekhar

Erode Subramanian Raja Gopal

Park Sung Ha

資料名：

RSC Advances (Web) (RSC Advances (Web))

巻： 7 号： 18 ページ： 11111-11117 発行年： 2017年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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