文献
J-GLOBAL ID:201702287851978046
整理番号:17A1916931
バンド工学と結合したキャリア濃度の最適化によるCe_xBi_2S_3の熱電性能の向上【Powered by NICT】
Enhancing the thermoelectric performance of CexBi2S3 by optimizing the carrier concentration combined with band engineering
著者 (5件):
Pei Jun
(The Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, No. 30 Xueyuan Road, Haidian District, Beijing, 100083, China. bpzhang@ustb.edu.cn)
,
Zhang Li-Juan
,
Zhang Bo-Ping
,
Shang Peng-Peng
,
Liu Yao-Chun
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
47
ページ:
12492-12499
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)