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文献
J-GLOBAL ID:201702287903853689   整理番号:17A1997644

a-C:H薄膜を用いた抵抗変化型メモリの作製

著者 (3件):
松堂功介
(琉球大 大学院理工学研究科)
山里将朗
(琉球大 大学院理工学研究科)
比嘉晃
(琉球大 大学院理工学研究科)

資料名:
電気・情報関係学会九州支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Record of Joint Conference of Electrical, Electronics and Information Engineers in Kyushu (CD-ROM))

巻: 70th  ページ: ROMBUNNO.07-1A-02  発行年: 2017年09月19日 
JST資料番号: L2200B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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