文献
J-GLOBAL ID:201702287916603933
整理番号:17A0335347
RFマグネトロンスパッタリング法によるガラス及びシリコンウエハ上へ蒸着した導電性Ga添加ZnO薄膜の物理化学的性質に関する調査
Investigation of physico-chemical properties of conductive Ga-doped ZnO thin films deposited on glass and silicon wafers by RF magnetron sputtering
著者 (5件):
KHALFALLAH B.
(Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN)
,
CHAABOUNI F.
(Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN)
,
SCHMERBER G.
(Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA)
,
DINIA A.
(Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA)
,
ABAAB M.
(Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
1
ページ:
75-85
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)