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文献
J-GLOBAL ID：201702287964299389
整理番号：17A1620660
InSb/AlAsヘテロ系内の低次元構造の形成
Formation of Low-Dimensional Structures in the InSb/AlAs Heterosystem
ABRAMKIN D. S.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
ABRAMKIN D. S.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
BAKAROV A. K.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
PUTYATO M. A.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
EMELYANOV E. A.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
KOLOTOVKINA D. A.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
KOLOTOVKINA D. A.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
GUTAKOVSKII A. K.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
GUTAKOVSKII A. K.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
SHAMIRZAEV T. S.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
SHAMIRZAEV T. S.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
SHAMIRZAEV T. S.
(Ural Federal Univ., Yekaterinburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 9 ページ： 1233-1239 発行年： 2017年09月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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