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文献
J-GLOBAL ID：201702288001561558
整理番号：17A0240717
RF ICのためのSOI基板上の最適化された高Qインダクタの設計【Powered by NICT】
Design of optimized high Q inductors on SOI substrates for RF ICs
Royet A. S.
(CEA, LETI, DCOS division, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Michel J. P.
(CEA, LETI, DCOS division, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Reig B.
(CEA, LETI, DCOS division, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Pornin J. L
(CEA, LETI, DCOS division, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Ranaivoniarivo M.
(ALTIS Semiconductor, 91105 Corbeil Essonnes, France)
,
Robain B.
(ALTIS Semiconductor, 91105 Corbeil Essonnes, France)
,
de Person P.
(ALTIS Semiconductor, 91105 Corbeil Essonnes, France)
,
Uren G.
(ALTIS Semiconductor, 91105 Corbeil Essonnes, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ICECS ページ： 324-327 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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