文献
J-GLOBAL ID:201702288281987758
整理番号:17A0703286
超臨界流体窒化を用いた透明ITO電極を用いた抵抗スイッチングメモリの性能のブースティング【Powered by NICT】
Boosting the performance of resistive switching memory with a transparent ITO electrode using supercritical fluid nitridation
著者 (8件):
Ye Cong
(Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jilin University Region, Wuhan 430062, China)
,
Wu Jia-Ji
,
Pan Chih-Hung
,
Tsai Tsung-Ming
,
Chang Kuan-Chang
,
Wu Huaqiang
,
Deng Ning
,
Qian He
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
19
ページ:
11585-11590
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)