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文献
J-GLOBAL ID：201702288298268271
整理番号：17A0403417
太陽光吸収体のためのCu_2FeSnS_4薄膜の低コスト酸化物ベース堆積【Powered by NICT】
Low cost oxide-based deposition of Cu2FeSnS4 thin films for photovoltaic absorbers
Chen Guilin
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Chen Guilin
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Li Jianmin
(CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
,
Chen Shuiyuan
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Chen Shuiyuan
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Huang Zhigao
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Huang Zhigao
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Wu Miaoju
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Wu Miaoju
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Zhao Jifu
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Zhao Jifu
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Wang Weihuang
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Wang Weihuang
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Lin Haiqin
(Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China)
,
Lin Haiqin
(Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
,
Zhu Changfei
(CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
資料名：
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻： 188 ページ： 95-99 発行年： 2017年
JST資料番号： E0934A ISSN： 0254-0584 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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