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文献
J-GLOBAL ID：201702288415197071
整理番号：17A0551315
垂直に集積する電界効果トランジスタのための無極性側壁を有するGaNナノワイヤアレイ
GaN nanowire arrays with nonpolar sidewalls for vertically integrated field-effect transistors
YU Feng
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
YAO Shengbo
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
ROEMER Friedhard
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
WITZIGMANN Bernd
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
SCHIMPKE Tilman
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
STRASSBURG Martin
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
BAKIN Andrey
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
SCHUMACHER Hans Werner
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, DEU)
,
PEINER Erwin
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
WASISTO Hutomo Suryo
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
WAAG Andreas
(Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 28 号： 9 ページ： 095206,1-9 発行年： 2017年03月03日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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