文献
J-GLOBAL ID:201702288493989757
整理番号:17A1810323
破砕Siナノギャップにおける冷電界放出の測定とポテンシャル障壁変化の解析
Measurement and potential barrier evolution analysis of cold field emission in fracture fabricated Si nanogap
著者 (4件):
BANERJEE Amit
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HIRAI Yoshikazu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TSUCHIYA Toshiyuki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TABATA Osamu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6S1
ページ:
06GF06.1-06GF06.7
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)