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文献
J-GLOBAL ID：201702288535714749
整理番号：17A1273394
高性能SiCパワーMOSFETのためのフリー金属/高kゲートスタックの信頼性を意識した設計【Powered by NICT】
Reliability-aware design of metal/high-k gate stack for high-performance SiC power MOSFET
Hosoi Takuji
(Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan)
,
Azumo Shuji
(Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan)
,
Kashiwagi Yusaku
(Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan)
,
Hosaka Shigetoshi
(Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan)
,
Yamamoto Kenji
(Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan)
,
Aketa Masatoshi
(Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan)
,
Asahara Hirokazu
(ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan)
,
Nakamura Takashi
(ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Dept. Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto, Japan)
,
Shimura Takayoshi
(Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan)
,
Watanabe Heiji
(Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISPSD ページ： 247-250 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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