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文献
J-GLOBAL ID：201702288657515055
整理番号：17A0473323
硫化アンモニウム不動態化と急速熱アニーリングによるHfGdO/GaAsゲートスタックの界面と電気的性質の調節【Powered by NICT】
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
Jiang S.S.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
He G.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
Liang S.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
Zhu L.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
Li W.D.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
Zheng C.Y.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China)
,
Lv J.G.
(Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Normal University, Hefei 230061, PR China)
,
Liu M.
(Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704 ページ： 322-328 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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