文献
J-GLOBAL ID:201702288758813756
整理番号:17A0362442
ホットキャリア損傷を受けた28nm FDSOI CMOSノードにおける治癒技術の可能性【Powered by NICT】
Potentiality of healing techniques in hot-carrier damaged 28nm FDSOI CMOS nodes
著者 (8件):
Bravaix A.
(ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
,
Cacho F.
(STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Federspiel X.
(STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Ndiaye C.
(ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
,
Ndiaye C.
(STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Mhira S.
(ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
,
Mhira S.
(STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Huard V.
(STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
163-167
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)