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J-GLOBAL ID：201702288870042395 整理番号：17A0226357

高性能グラフェントランジスタのための同調可能な誘電率をもつ信頼性がありロバストなゲート誘電体としてのメソ構造Hf_xAl_yO₂薄膜

Mesostructured Hf_xAl_yO₂ Thin Films as Reliable and Robust Gate Dielectrics with Tunable Dielectric Constants for High-Performance Graphene-Based Transistors

著者 (8件)：

LEE Yunseong

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

,

LEE Yunseong

(Korea Univ., Seoul, KOR)

,

JEON Woojin

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

,

CHO Yeonchoo

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

,

LEE Min-Hyun

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

,

JEONG Seong-Jun

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

,

PARK Jongsun

(Korea Univ., Seoul, KOR)

,

PARK Seongjun

(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)

資料名：

ACS Nano (ACS Nano)

巻： 10 号： 7 ページ： 6659-6666 発行年： 2016年07月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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