文献
J-GLOBAL ID:201702289086050397
整理番号:17A1832966
バルクO SiP結晶の制御可能なシードフラックス成長とオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】
Controllable seeded flux growth and optoelectronic properties of bulk o-SiP crystals
著者 (8件):
Li Chunlong
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China. wshp@sdu.edu.cn txt@sdu.edu.cn)
,
Wang Shanpeng
,
Zhang Xixia
,
Jia Ning
,
Yu Tongtong
,
Zhu Min
,
Liu Duo
,
Tao Xutang
資料名:
CrystEngComm
(CrystEngComm)
巻:
19
号:
46
ページ:
6986-6991
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2462A
ISSN:
1466-8033
CODEN:
CRECF4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)