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文献
J-GLOBAL ID：201702289086050397
整理番号：17A1832966
バルクO SiP結晶の制御可能なシードフラックス成長とオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】
Controllable seeded flux growth and optoelectronic properties of bulk o-SiP crystals
Li Chunlong
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China. wshp@sdu.edu.cn txt@sdu.edu.cn)
,
Wang Shanpeng
,
Zhang Xixia
,
Jia Ning
,
Yu Tongtong
,
Zhu Min
,
Liu Duo
,
Tao Xutang
資料名：
CrystEngComm
(CrystEngComm)
巻： 19 号： 46 ページ： 6986-6991 発行年： 2017年
JST資料番号： W2462A ISSN： 1466-8033 CODEN： CRECF4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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