文献
J-GLOBAL ID:201702289133252267
整理番号:17A1637448
0.35μm SiGe BiCMOS技術のための放射信頼性【Powered by NICT】
Radiated reliability for 0.35μm SiGe BiCMOS technology
著者 (6件):
Wu Xue
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China)
,
Cui Wei
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China)
,
Zhu Kunfeng
(Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing 401332, China)
,
Yang Yonghui
(Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing 401332, China)
,
Tan Kaizhou
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China)
,
Tang Zhaohuan
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IPFA
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)