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文献
J-GLOBAL ID：201702289236748297
整理番号：17A0313248
グラフェン HfO2 バセドは抵抗RAMメモリ【Powered by NICT】
Graphene-HfO2-based resistive RAM memories
Mannequin Cedric
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Delamoreanu Alexandru
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Delamoreanu Alexandru
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Latu-Romain Laurence
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Jousseaume Vincent
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Grampeix Helen
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
David Sylvain
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Rabot Caroline
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Zenasni Aziz
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Vallee Christophe
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
,
Gonon Patrice
(LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 161 ページ： 82-86 発行年： 2016年08月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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