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文献
J-GLOBAL ID：201702289273201931
整理番号：17A0551716
多重露光コロイドリソグラフィによってパターン形成したGaN/サファイアテンプレート上に領域選択成長させた周期的ナノピラミッド発光ダイオードアレイ
Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography
XIONG Zhuo
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
XIONG Zhuo
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
WEI Tongbo
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
WEI Tongbo
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
ZHANG Yonghui
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Yonghui
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
ZHANG Xiang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Xiang
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
YANG Chao
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YANG Chao
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
LIU Zhiqiang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Zhiqiang
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
YUAN Guodong
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YUAN Guodong
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
LI Jinmin
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jinmin
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
,
WANG Junxi
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Junxi
(Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 28 号： 11 ページ： 114003,1-7 発行年： 2017年03月17日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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