文献
J-GLOBAL ID:201702289289216048
整理番号:17A1033118
65nmバルクと薄膜BOX FDSOIプロセスにおけるNMOS,PMOSに対する負バイアスボディバイアスに依存する温度不安定性による分解【Powered by NICT】
Degradation caused by Negative Bias temperature instability depending on Body Bias on NMOS or PMOS in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
著者 (2件):
Kishida Ryo
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
,
Kobayashi Kazutoshi
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EDTM
ページ:
122-123
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)