文献
J-GLOBAL ID:201702289315483155
整理番号:17A0204184
(Al)GaInP太陽電池のV(OC)を改善するための裏面電界の最適化【Powered by NICT】
Optimizing back surface field for improving V_(oc) of (Al)GaInP solar cell
著者 (6件):
Lu Hongbo
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
,
Li Xinyi
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
,
Zhang Wei
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
,
Zhou Dayong
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
,
Sun Lijie
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
,
Chen Kaijian
(Shanghai Institute of Space Power-Source)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
10
ページ:
104004-1-104004-3
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)