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文献
J-GLOBAL ID:201702289483103266   整理番号:17A1271131

自己整合ナノカーボン電界効果トランジスタのためのプラズマプロセスの影響【Powered by NICT】

Effects of the plasma process for self-aligned nano-carbon field-effect transistors
著者 (8件):
Kawahara Toshio
(Dept. of Electronic and Information Engineering, Chubu University, Kasugai 487-8501, Japan)
Rupesh Singh Kumar
(Dept. of Electronic and Information Engineering, Chubu University, Kasugai 487-8501, Japan)
Ohno Yasuhide
(Graduate School of Science and Technology, Tokushima University, 770-8501, Japan)
Maehashi Kenzo
(Institute of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 184-8588, Japan)
Matsumoto Kazuhiko
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 567-0047, Japan)
Okamoto Kazumasa
(Faculty of Engineering, Hokkaido University, 060-8628, Japan)
Utsunomiya Risa
(Nisshin Electric. Co., Ltd., Kyoto 615-8686, Japan)
Matsuba Teruaki
(Nisshin Electric. Co., Ltd., Kyoto 615-8686, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: ICNF  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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