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文献
J-GLOBAL ID：201702289545503680
整理番号：17A0318065
16/14nmノードFinFET技術のための高誘電率誘電体と金属ゲートを用いたSiGe選択エピタキシャルプロセス統合の研究【Powered by NICT】
Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14nm nodes FinFET technology
Wang Guilei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Qin Changliang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Yin Huaxiang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Luo Jun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Duan Ningyuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Yang Ping
(Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, 5 Research Link, Singapore 117603, Singapore)
,
Gao Xingyu
(Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF), Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, PR China)
,
Yang Tao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Li Junfeng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Yan Jiang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Zhu Huilong
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Wang Wenwu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Chen Dapeng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Ye Tianchun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Zhao Chao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China)
,
Radamson Henry H.
(Department of Integrated Devices and Circuits, KTH Royal Institute of Technology, Isafjordsgatan 22-26, 16440 Kista, Sweden)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 163 ページ： 49-54 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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