文献
J-GLOBAL ID:201702289594090623
整理番号:17A0328769
サファイア基板上に成長させたZnGaOの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの特性評価【Powered by NICT】
Characterizations of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors of ZnGaO Grown on Sapphire Substrate
著者 (3件):
Shen Yi-Siang
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan)
,
Wang Wei-Kai
(Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua, Taiwan)
,
Horng Ray-Hua
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
5
号:
2
ページ:
112-116
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)