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文献
J-GLOBAL ID：201702289650163349
整理番号：17A0057841
InGaAs TFETにおける固有電圧利得に及ぼすIn_xGa_1x組成と発生源Zn拡散温度の影響【Powered by NICT】
Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs
Bordallo C.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Martino J.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian P.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Alian A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Mois Y.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Rooyackers R.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Vandooren A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Verhulst A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Simoen E.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Claeys C.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Thean A.
(Imec, Leuven, Belgium)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： S3S ページ： 1-3 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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