文献
J-GLOBAL ID:201702289845004866
整理番号:17A0550124
水素化物気相成長法によるp-i-n GaAs太陽電池の作製
Fabrication of p-i-n GaAs solar cells grown by hydride vapor phase epitaxy
著者 (4件):
OSHIMA Ryuji
(AIST)
,
MAKITA Kikuo
(AIST)
,
UBUKATA Akinori
(TAIYO NIPPON SANSO Corp.)
,
SUGAYA Takeyoshi
(AIST)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
64th
ページ:
ROMBUNNO.16p-304-5
発行年:
2017年03月01日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)