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文献
J-GLOBAL ID:201702289863248864   整理番号:17A0759397

MOVPEによりサファイア基板上に成長させたAlNの構造品質の改善のためのナノメータ薄A LD Al_2O_3【Powered by NICT】

Nanometer-thin ALD-Al2O3 for the improvement of the structural quality of AlN grown on sapphire substrate by MOVPE
著者 (7件):
Banal Ryan G.
(Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Imura Masataka
(Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Tsuya Daiju
(Nanofabrication Platform, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Iwai Hideo
(Materials Analysis Station, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Koide Yasuo
(Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Koide Yasuo
(Nanofabrication Platform, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
Koide Yasuo
(Research Network and Facility Services Division, NIMS, 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600727  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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