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文献
J-GLOBAL ID：201702289880031690
整理番号：17A0214171
Terman法によるMoS_2MOS界面における界面トラップ密度のエネルギー分布の定量的評価【Powered by NICT】
Quantitative evaluation of energy distribution of interface trap density at MoS2 MOS interfaces by the Terman method
Takenaka M.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Ozawa Y.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Han J.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takagi S.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 5.8.1-5.8.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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