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文献
J-GLOBAL ID：201702289897494016
整理番号：17A0313223
高平坦化効率を達成するための阻害剤のないアルカリ性銅CMPスラリーの探索に関する研究【Powered by NICT】
A study on exploring the alkaline copper CMP slurry without inhibitors to achieve high planarization efficiency
Luan Xiaodong
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
,
Liu Yuling
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
,
Wang Chenwei
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
,
Niu Xinhuan
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
,
Wang Juan
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
,
Zhang Wenqian
(Key Laboratory of Tianjin for the Electronic Material and the Device, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 160 ページ： 5-11 発行年： 2016年07月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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