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文献
J-GLOBAL ID:201702289934170231   整理番号:17A0953398

NH3ソースのMBEによるGaN成長における高いNH3打ち込み状態下での成長速度の異常変化

Abnormal variation of the growth rate under high NH3 injected regime in the growth of GaN by NH3-source MBE
著者 (5件):
CHOI Sungkuk
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
JUNG Soohoon
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
CHO Youngji
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
LEE Sangtae
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
CHANG Jiho
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 56  号:ページ: 035504.1-035504.4  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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