文献
J-GLOBAL ID:201702289934170231
整理番号:17A0953398
NH3ソースのMBEによるGaN成長における高いNH3打ち込み状態下での成長速度の異常変化
Abnormal variation of the growth rate under high NH3 injected regime in the growth of GaN by NH3-source MBE
著者 (5件):
CHOI Sungkuk
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
,
JUNG Soohoon
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
,
CHO Youngji
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
,
LEE Sangtae
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
,
CHANG Jiho
(Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
3
ページ:
035504.1-035504.4
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)