文献
J-GLOBAL ID:201702289934493268
整理番号:17A0352468
Si上の水平Geリッジ導波路からの室温直接バンドギャップエレクトロルミネセンス【Powered by NICT】
Room temperature direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge ridge waveguide on Si
著者 (3件):
He Chao
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Zhi
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Cheng Buwen
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
12
ページ:
126104-1-126104-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)