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文献
J-GLOBAL ID：201702289961595713
整理番号：17A0020891
低k/high K二層ゲート誘電体を有する低電圧高分子OTFTのための改善されたバイアスストレス安定性【Powered by NICT】
Improved bias stress stability for low-voltage polymer OTFTs with low-k/high-k bilayer gate dielectric
Tang Wei
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Zhao Jiaqing
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Huang Yukun
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Ding Li
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Chen Sujie
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Guo Xiaojun
(National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CAD-TFT ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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