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文献
J-GLOBAL ID：201702290112194312
整理番号：17A0402544
進行トランジスタ技術ゲートスタックのpARXPSとMEISによる深さプロファイリング研究【Powered by NICT】
Depth profiling investigation by pARXPS and MEIS of advanced transistor technology gate stack
Fauquier L.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Fauquier L.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Fauquier L.
(CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Pelissier B.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Pelissier B.
(CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Jalabert D.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Jalabert D.
(CEA, INAC (SP2M/LEMMA), F-38000 Grenoble, France)
,
Pierre F.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Pierre F.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Gassilloud R.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Gassilloud R.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Doloy D.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Beitia C.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Beitia C.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Baron T.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Baron T.
(CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 169 ページ： 24-28 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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