文献
J-GLOBAL ID:201702290127599992
整理番号:17A0132710
GaN系MOSデバイスのゲート酸化膜のためのAl2O3/SiO2ナノ積層体膜
Al2O3/SiO2 nanolaminate for a gate oxide in a GaN-based MOS device
著者 (4件):
Kikuta Daigo
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan)
,
Itoh Kenji
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan)
,
Narita Tetsuo
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan)
,
Mori Tomohiko
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
35
号:
1
ページ:
01B122-01B122-6
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)