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文献
J-GLOBAL ID：201702290218034071
整理番号：17A0825941
コプレーナ調節末端を有するキトサンベース電解質ゲート低電圧酸化物トランジスタ【Powered by NICT】
Chitosan-Based Electrolyte Gated Low Voltage Oxide Transistor With a Coplanar Modulatory Terminal
Zhu Li Qiang
(Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Chao Jin Yu
(Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Xiao Hui
(Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Liu Rui
(Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Wan Qing
(Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 3 ページ： 322-325 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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