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J-GLOBAL ID：201702290283050038 整理番号：17A0375096

間接への直接バンドギャップからAE_2ZnN_2(AE=Ca, Sr, Ba)化合物の特異的特徴研究:DFT研究【Powered by NICT】

Specific features investigation of the AE₂ZnN₂ (AE=Ca, Sr, Ba) compounds from indirect to direct band gap: DFT study

著者 (7件)：

Basit Abdul

(State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology, Huazhaong University of Science and Technology, Wuhan 430074, P.R. China)

Murtaza G.

(Department of Physics, Islamia College University, Peshawar 25000, Pakistan)

Mahmood Asif

(Chemical Engineering Department, College of Engineering, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh, 11451 Saudi Arabia)

Khan Saleem Ayaz

(New Technologies Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 2732, 306 14 Pilsen, Czech Republic)

Aneel M.

(Department of Physics, Islamia College University, Peshawar 25000, Pakistan)

Yar Abdullah

(Department of Physics, Kohat University of Science and Technology, Kohat 26000, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan)

Wong Kin Mun

(Independent Researcher/Scientist Member of the American Physical Society, MD, 20740-3844 United States)

資料名：

Materials Science in Semiconductor Processing (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻： 57 ページ： 116-123 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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